ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ

(ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10—100 кэВ проникают на глубину 0,01—1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения ч-ц вдоль определ. кристаллографич. осей может быть во много раз больше, чем в др. направлениях (каналирование частиц). При интенсивной бомбардировке И. в. препятствует катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов к поверхности и их выделение с поверхности (ионно-ионная эмиссия). Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, к-рая зависит от хим. природы иона и мишени, а также от темп-ры мишени. И. в. позволяет вводить в полупроводниковые материала точно дозированные кол-ва почти любых хим. элементов.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1983.

Смотреть больше слов в «Физической энциклопедии»

ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ →← ИОННАЯ ЭМИССИЯ

ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ

Смотреть что такое ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ в других словарях: